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在世界各国大力支持和推动第三代半导体氮化镓和碳化硅电子器件发展的环境下，江苏华工第三代半导体产业技术研究院近日在苏州吴江区胡芬高新区成立，旨在加快第三代半导体及其应用技术的产业化。
蓝鲸TMT月11日:在世界各国大力支持和推动第三代半导体氮化镓和碳化硅电子器件发展的大环境下，江苏华工第三代半导体产业技术研究院近日在苏州吴江区胡芬高新区成立，旨在加快第三代半导体及其应用技术的产业化。
中国科学院院士、江苏华工第三代半导体产业技术研究院院长甘赵子教授认为，与硅(si)功率电子器件相比，第三代宽带隙半导体氮化镓(gan)具有更高的耐压、更低的导通电阻和更高的开关速度，可以使电源系统工作在更高的频率、更低的损耗和更小的尺寸，具有非常广阔的产业发展和应用前景。
据北京大学宽带隙半导体联合研究中心主任、江苏华工第三代半导体产业技术研究院常务副院长张国一教授介绍，未来的研究院将具备以下四大功能。
1.第三代半导体技术开发基地围绕第三代半导体和电力电子技术产业链的上下游，引进北京大学和CUHK的技术和团队，开发材料、工艺、封装和应用方案等技术，推动行业快速发展和成熟；
2.以研究院为平台，引进团队开发第三代半导体终端应用技术，推动第三代半导体下游应用的发展，支持第三代半导体产业尽快做大做强；
3.成为第三代半导体产业人才培养基地，为华工半导体自身成长和第三代半导体产业发展培养技术和管理人才；
4.作为孵化器和平台，为华工和当地产业发展引进优质项目。
